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元件参数资料
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参数目录42105
> IRLML2502GTRPBF MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
型号:
IRLML2502GTRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRLML2502GTRPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Micro-3, SOT-23
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
740pF @ 15V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
Micro3?/SOT-23
包装
标准包装
其它名称
IRLML2502GTRPBFDKR
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